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21世紀COEセミナー「TEM とSEM で見たシリコン系半導体材料」

日時 平成18年(2006年)12月19日(火)17:00〜
場所 理学研究科H棟6階 中セミナー室(H601)
講演者 板倉 賢 氏 (九州大学大学院 総合理工学研究院)
題目 TEM とSEM で見たシリコン系半導体材料
要旨 鉄シリサイド薄膜や金属誘起固相成長Si-Ge薄膜などシリコン系半導体材料の微細構造を中心に、EDX組成分析やEBSD方位解析機能を搭載した低加速電圧SEMおよびSTEM-EDX機能を装備した高性能TEMを用いて解析した結果を紹介する。

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