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21世紀COEセミナー「極薄Si 酸化膜を利用したIV 族系半導体ナノ構造の形成と物性評価」

日時 平成18年(2006年)12月21日(木)16:00〜17:30
場所 理学研究科H棟6階 中セミナー室(H601)
講師 中村 芳明氏(東京大学大学院工学系研究科)
題目 極薄Si 酸化膜を利用したIV 族系半導体ナノ構造の形成と物性評価
概要 IV系半導体による光素子開発を目的とした、Si、Ge 系ナノドットの研究が盛んに行われている。本講演では、我々独自の極薄Si酸化膜を用いた超高密度 (>1012cm-2) ナノドットの形成方法を紹介する。この手法を用いて形成したIV族系ナノドット (Geナノドット、b-FeSi2ナノ構造、GeSnナノドット) とその光学測定や電子状態測定の結果を報告する。電子状態測定においては、量子閉じ込め効果などのナノ構造特有の現象が観測された。また、開発途中である走査トンネル顕微鏡を用いたナノ分光測定法についても紹介する。

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