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21世紀COEセミナー「透過電子顕微鏡その場可視分光法による半導体ナノ構造の光学特性評価」

日時 平成18年(2006年)12月22日(金)10:30〜12:00
場所 理学研究科H棟6階 中セミナー室(H601)
講師 大野 裕
題目 透過電子顕微鏡その場可視分光法による半導体ナノ構造の光学特性評価
概要 半導体結晶中に形成されるナノメーターサイズの格子欠陥 (ナノ欠陥) は特異な光学的特性をしめすことがあります。その起源を理解するには、個々のナノ欠陥の構造・形状と特性とを同時に直接評価する必要があります。これまでに開発してきた透過電子顕微鏡をもちいた局所分光法などで明らかになってきた、ナノ欠陥の光学特性を紹介します。

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